{"product_id":"ieej-dt11r01171136","title":"MOSFETおよびIGBTを対象とした非破壊試験装置の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-136\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/09\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDiscussion of Non-Destructive Experimental Set-Up for PowerMOSFETs and IGBTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中川 徹也(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTetsuya Nakagawa(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Shin-ichi Nishizawa(Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiromichi Ohashi(Advanced Industrial Science and Technology (AIST))\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e電力用半導体素子|MOSFET|IGBT|非破壊試験装置| Power Semiconductor Device|MOSFET|IGBT|Non-Destructive Experimental\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,478 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405538349295,"sku":"IEEJ-DT11R01171136-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0739b539-e338-4478-8c4c-1f07a8d14259.png?v=1745101136","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt11r01171136","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}