{"product_id":"ieej-dt12r0102031032","title":"GaN FETの逆I-V特性に着目したブリッジレスPFCの効率改善の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-32\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成24年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/08\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEfficiency improvement of bridge-less PFC circuits considering reverse I-V characteristics of GaN FET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e金崎 正樹(長岡技術科学大学),芳賀 仁(長岡技術科学大学),近藤正示 (長岡技術科学大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasaki Kanesaki(Nagaoka University of Technology),Hitoshi Haga(Nagaoka University of Technology),Seiji Kondo(Nagaoka University of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN FET|ブリッジレスPFC|高効率|同期整流| GaN FET|bridge-less PFC|High efficiency|Synchronous rectification\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e3,437 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46405578719471,"sku":"IEEJ-DT12R0102031032-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e872713c-c85a-4bda-ac80-497b24bf7700.png?v=1745103307","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt12r0102031032","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}