{"product_id":"ieej-dt13r01121088","title":"ノーマリオンGaN HEMT 用共振形ゲートドライブ回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-88\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/08\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eResonant Gate Driver for Normally-On GaN High-Electron-Mobility Transistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石橋 卓治(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),岡本 昌幸(宇部工業高等専門学校),橋詰 保(北海道大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakaharu Ishibashi(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Ube National College of Technology),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN HEMT|ノーマリオンデバイス|共振形ゲートドライブ回路| GaN High-Electron-Mobility Transistor|normally-on power device|resonant gate driver\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,866 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405583995119,"sku":"IEEJ-DT13R01121088-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_cf14a905-b228-4561-bf91-3d630aa008ef.png?v=1745103696","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt13r01121088","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}