{"product_id":"ieej-dt14r0102011046","title":"Si-MOSFETを対象とした非破壊短絡試験装置の設計","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003e1-46\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成26年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/08\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign Procedure of Non-Destructive Experimental Equipment of Si-MOSFET for Short-Circuit Test\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e平田 晃介(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKosuke Hirata(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|短絡試験|非破壊試験装置| Si|MOSFET|short-circuit|Non-Destructive Experiment Equipment\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e685 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 2","offer_id":46405593891055,"sku":"IEEJ-DT14R0102011046-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1d3517a3-ecc7-497a-a1a4-6c261abac8f7.png?v=1745104168","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt14r0102011046","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}