{"product_id":"ieej-dt18y055","title":"走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e部門大会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eY-55\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2018\/08\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNanoscale observation for Si power-MOSFET by scanning probe microscope\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土井 敦史(千葉工業大学),中島 瑞貴(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eAtsushi Doi|Mizuki Nakajima|Nobuo Satoh|Hidekazu Yamamoto\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|原子間力顕微鏡法|走査型容量原子間力顕微鏡法, Power MOSFET|Atomic Force Microscopy|Scanning capacitance force Microscopy\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,327 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格440円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 1","offer_id":46405934809327,"sku":"IEEJ-DT18Y055-PDF","price":440.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_eab5c7b8-fad5-4e02-91f9-0fd07973e9cd.png?v=1745119299","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-dt18y055","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}