{"product_id":"ieej-ect08037","title":"弱反転領域で動作するMOSFETを用いたPTAT回路の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT08037\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePTAT Circuit using Characteristic of Subthreshold MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e田村 直人(中央大学),高窪 かをり(明治大学),高窪 統(中央大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNaoto Tamura(Chuo University),Kawori Takakubo(Meiji University),Hajime Takakubo(Chuo University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003ePTAT|弱反転領域|スマート温度センサ|CMOS|PTAT|subthreshold MOSFET|smart temperature sensor|CMOS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e715 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362099220719,"sku":"IEEJ-ECT08037-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_bccd8a01-a86f-413d-a0c9-de0e1d76c10c.png?v=1743619702","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect08037","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}