{"product_id":"ieej-ect09058","title":"NMOSの非線形特性をPMOSで補償し入出力範囲を向上させた高周波電力増幅回路","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT09058\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/06\/11\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLinearity Compensation of CMOS RF Power Amplifier for Wider Input and Output Voltage Range\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e新井 知広(東京理科大学大学院),佐藤広生 (東京理科大学大学院),兵庫 明(東京理科大学大学院),関根 慶太郎(東京理科大学大学院)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eChihiro Arai(Tokyo University of Science),Hiroki Sato(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Keitaro Sekine(Tokyo University of Science)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eCMOS|電力増幅回路|歪み|ソース接地|UWB|CMOS|power amplifier|distortion|common-source|UWB\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e524 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362237796591,"sku":"IEEJ-ECT09058-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_520bd62b-7513-4f1c-8907-90a2cbb73873.png?v=1743623499","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect09058","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}