{"product_id":"ieej-ect09092","title":"MOSFETを用いた製造ばらつきの影響を受けにくい全波整流回路の構成に関する一検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT09092\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Full-Wave Rectifier Circuit Using MOSFET with a Smaller Characteristics Deviation by CMOS Process Fluctuations\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石橋 幹大(東京理科大学大学院),兵庫 明(東京理科大学大学院),関根 慶太郎(東京理科大学大学院),佐藤広生 (東京工業大学大学院)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTomohiro Ishibashi(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Keitaro Sekine(Tokyo University of Science),Hiroki Sato(Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eCMOS|二乗回路|CMOSプロセスパラメータ変動|CMOS|squaring circuit|CMOS process parameter deviation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e549 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362258407663,"sku":"IEEJ-ECT09092-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_62326b38-b197-4eae-922f-8db5703a5692.png?v=1743623659","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect09092","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}