{"product_id":"ieej-ect09095","title":"FG-MOSを用いた4値SRAMに関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT09095\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe study about Four valued SRAM with FG-MOS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e西 晃司(佐賀大学),清水 暁生(佐賀大学),深井 澄夫(佐賀大学),石川 洋平(有明工業高等専門学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoji Nishi(Saga University),Akio Simizu(Saga University),Sumio Fukai(Saga University),Yohei Ishikawa(Ariake National College of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e4値SRAM|Floating Gate-MOS FET|Four Valued SRAM|Floating Gate-MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e582 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362260766959,"sku":"IEEJ-ECT09095-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2b5ad47a-6a80-4e55-b602-d3ca25a270cc.png?v=1743623669","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect09095","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}