{"product_id":"ieej-ect09114","title":"LIMに基づく非線形回路の高速解析手法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT09114\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/11\/12\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFast Nonlinear Circuit Simulation Technique Based on Latency Insertion Method(LIM)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e關根惟敏 (静岡大学),浅井 秀樹(静岡大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTadatoshi Sekine(Shizuoka University),Hideki Asai(Shizuoka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eLatency Insertion Method|高速回路シミュレーション|非線形回路|MOSFET|CMOS回路|latency insertion method|fast circuit simulation|nonlinear circuit|MOSFET|CMOS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e587 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362270892271,"sku":"IEEJ-ECT09114-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_db581a3e-bd4c-4d1d-b43e-fb32dc07ef16.png?v=1743623754","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect09114","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}