{"product_id":"ieej-ect09115","title":"CMOSFETにおけるゲート電圧劣化係数の一考察と抽出回路の実現","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT09115\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/11\/12\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA study of gate voltage degradation coefficient on CMOSFET and its extraction circuit implementation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e下田 亮(明治大学),高窪 かをり(明治大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyo Shimoda(Meiji University),Kawori Takakubo(Meiji University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート電圧劣化係数|パラメータ抽出回路|基板効果|弱反転領域|拡散電流|電圧減算回路|gate voltage degradation coefficient|parameter extraction circuit|body effect|weak inversion|diffusion current|voltage subtractor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e587 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362270925039,"sku":"IEEJ-ECT09115-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3396f212-8d88-4546-a17d-8dcb523789bf.png?v=1743623757","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect09115","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}