{"product_id":"ieej-ect10016","title":"オフ状態におけるMOSFETのリーク電流の考察及び低リークMOSFETスイッチ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT10016\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/01\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAnalysis of Leakage Current for MOSFET in Off-State and Low Leakage Switches\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e池田 剛志(明治大学),高窪 かをり(明治大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIkeda Takeshi(Meiji University),Takakubo Kawori(Meiji University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eリーク電流|オフ状態のＭＯＳＦＥＴ|ＭＯＳＦＥＴスイッチ|leakage current|MOSFET in off-state|MOSFET switch\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eMOSFETを4端子素子としてオフ状態のリーク電流をモデル化し, 実測値と比較した。低リークMOSFETスイッチの提案・実測を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eLeakage current of MOSFET in off-state is modeled by four terminal device.Low leakage MOSFET switches are proposed and measured.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e818 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362434666735,"sku":"IEEJ-ECT10016-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f0d28f3c-3543-4de1-912e-05bef9337e81.png?v=1743627760","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect10016","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}