{"product_id":"ieej-ect10102","title":"FEBT動作によるOTAのgm改善の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT10102\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/10\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTransconductance-Improvement of OTA wiht FEBT opelation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e後藤 祐也(明治大学),高窪 かをり(明治大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eGotou Yuuya(Meiji University),Takakubo Kawori(Meiji University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e弱反転領域|トランスコンダクタンス|ＯＴＡ|ＦＥＢＴ動作|順方向バイアス|ｐｎ接合\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e弱反転領域で動作するMOSFETを用いたOTAのトランスコンダクタンスを改善する手法を提案する．ゲート電圧によってバルク電圧を与える構成とすることにより，ソース・バルク間のpn接合に順方向バイアスが加わるFEBT動作とし，OTAのトランスコンダクタンスを改善する．0.18μm n-well CMOSプロセスで試作した単体のMOSFETの実測結果より提案手法の動作を確認する．シミュレーションによりOTAのgmの改善結果を示す．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e678 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362453213423,"sku":"IEEJ-ECT10102-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1ad465a7-4ac2-4ccf-8366-58f34538de72.png?v=1743628220","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect10102","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}