{"product_id":"ieej-ect11026","title":"弱反転領域で動作するMOSFETを用いた低電力型トランスコンダクタの線形化手法の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT11026\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Linearization Technique of Low-Power Transconductor using MOSFETs Operating in Weak Inversion Region\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e石尾 隆太郎(防衛大学校),大淵 武史(防衛大学校),木村 直義(防衛大学校),トンプーン プラウィット(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIshio Ryutaro(National Defense Academy),Ohbuchi Takeshi(National Defense Academy),Kimura Naoyoshi(National Defense Academy),Tongpoon Pravit(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では、弱反転領域で動作する低電力型MOSトランスコンダクタの線形化手法の一例を提案する。弱反転領域で動作するMOSFETでは、ゲート‐ソース間電圧とドレイン電流の大きさは指数関数的な関係にある。これを用いてsinh回路及びtanh回路を実現し、それらの組み合わせにより非線形成分を低減した低電力型線形MOSトランスコンダクタを構成した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e460 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362589593839,"sku":"IEEJ-ECT11026-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e81fdfeb-2fd4-4f69-bf8a-7718eeeb59bb.png?v=1743631410","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect11026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}