{"product_id":"ieej-ect11082","title":"ゲート共有型FG-MOSインバータ回路の高速化技術の検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT11082\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/20\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eExamination of speed-up technique for Gate-sharing FG-MOS inverter circuit\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e加藤 卓(佐賀大学),佐々木 伸一(佐賀大学),中島 和紀(佐賀大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003ekato suguru(Saga University),sasaki shinich(Saga University),nakashima kazunori(Saga University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート共有型ＦＧ－ＭＯＳインバータ|ＦＧ－ＭＯＳトランジスタ|３次元ゲート電極構造|Gate-sharing FG-MOS inverter|FG-MOS transistor|three dimension gate electrode structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究室では，多値論理回路に用いるフローティングゲート共有型FG-MOSインバータ回路の高速化を目的に，３次元ゲート電極構造を提案している．本稿では，３次元ゲート電極構造が特性に影響を及ぼすのか検討し，直流特性より多値論理回路に適用できるのか評価した．３次元ゲート電極構造を使用できるCMOSプロセスを明らかにし，閾値可変幅拡大に向けて新たに回路を提案した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,710 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362598801647,"sku":"IEEJ-ECT11082-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_241a3956-9bcf-41ca-b477-385604ca917b.png?v=1743632076","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect11082","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}