{"product_id":"ieej-ect11087","title":"5GHz帯高効率CMOS E級電力増幅器の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT11087\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-Efficiency CMOS Class-E Power Amplifier for 5GHz Application\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山下 勇輝(九州大学),兼本 大輔(九州大学),金谷 晴一(九州大学),ポカレル ラメシュ(九州大学),吉田 啓二(九州大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYamashita Yuki(Kyushu University),Kanemoto Daisuke(Kyushu University),Kanaya Haruichi(Kyushu University),Pokharel Ramesh(Kyushu University),Yoshida Keiji(Kyushu University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＣＭＯＳ|Ｅ級電力増幅器|注入同期|カスコード|高効率|CMOS|class-E power amplifier|injection-locked|cascode|high efficiency\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究では，0.18μm CMOSプロセスを用いて高効率な5GHz帯E電力増幅器の開発を行う．提案する回路は，AB級増幅器とE級増幅器の2段構成である．2段目のE級増幅器に用いているE級発振器は正帰還を用いているため，発振制御用のスイッチを設けた．また，MOSFETのゲート酸化膜破壊を防ぐため，MOSFETをカスコード接続とした．さらに，負性キャパシタンスを用いてMOSFETにおける寄生容量を相殺した．シミュレーションの結果，最大PAE41.6%，出力電力15.1dBmを得た．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,208 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362598244591,"sku":"IEEJ-ECT11087-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d587894a-6e61-4f4a-8716-e35876450130.png?v=1743632013","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect11087","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}