{"product_id":"ieej-ect12051","title":"『ダイスター』の発明とそれを用いた新型アンプ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT12051\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/06\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInvention of  the \"DISTAR\" and its application to novel amplifier\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岡本 研正(香川大学),藤田 順一(香川大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eOkamoto Kensho(Kagawa University,School of Engineering),Fujita Junichi(Kagawa University,School of Engineering)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eトランジスタ|接合型トランジスタ|発光ダイオード|フォトダイオード|光動説|ダイスター|transistor|junction transistor|bipolar transistor|LED|photodiode|DISTAR\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e　接合型トランジスタは1948年ベル研究所のウィリアム・ショックレーにより発明された。ショックレーはトランジスタ動作に関して電子と正孔のふるまいでもって説明を行った。このトランジスタ動作理論は64年を経た今日でも電子工学や半導体物理学に関する書物に記されている。筆者の岡本は昨年、こうした古典的トランジスタ理論とはまったく異なる「トランジスタ光動説」を発表した。本論文では光動説に基づいて発明した斬新な増幅デバイス『ダイスター』とそれを用いた新型増幅器について述べる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eBipolar junction transistor, such as PNP and NPN transistor, was invented by W. B. Schockley in 1948. And since the birth of transistor, the opration of such biploar transisitors have been explained by the behavior of electrons and positive 　　holes in the semiconductor material for more than sixty years. In contradiction to this conventional theory with respect to the junction transistor, the author has dared to establish a novel hypothesis in this paper that the opration of transistor can be explained by light emission and photovoltaic effect at the PN and NP junctions in the transistor. As the evidences for the new hypothesis, various light emission phenomena in silicon photodiodes and transistors, photovoltaic effect of silicon transistor chip and an original amplifier excluding any transisitor will be presented in this paper.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e6,880 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362669940975,"sku":"IEEJ-ECT12051-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_06025ddd-8dd7-4142-95f5-6dec0a1e74a1.png?v=1743635334","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect12051","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}