{"product_id":"ieej-ect12092","title":"弱反転領域動作MOSFETカレントミラー回路の形状比による温度依存性低減","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT12092\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/12\/21\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eReducing temperature dependence of subthreshold region MOSFET current mirror by aspect ratio\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高野 真志(明治大学),和田 和千(明治大学),関根 かをり(明治大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakano Masashi(Meiji university),Wada kazuyuki(Meiji university),Sekine Kawori(Meiji university)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本稿では、MOSFETカレントミラー回路の弱反転領域動作時の温度特性について考察する。基本的カレントミラー回路と、バルク端子をゲート端子に接続した低電圧カレントミラー回路の二つについて、シミュレーションによって検証し、形状比を適切に設計すれば、順バイアスがかかっているバルク端子への電流によって、温度依存性を低減できることを指摘する。また、実測の結果はシミュレーションが妥当であることを示している。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,104 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362595688687,"sku":"IEEJ-ECT12092-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9d1bcc59-b352-41b0-919f-3b99ea80046c.png?v=1743631879","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect12092","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}