{"product_id":"ieej-ect13026","title":"ミリ波領域におけるMOSバラクタのモデリング","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT13026\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/01\/26\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eMOS Varactor modeling for mm-wave \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e板野 由佳(岡山県立大学),伊藤 信之(岡山県立大学),吉富 貞幸(東芝),星野 洋昭(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eItano Yuka(Okayama Prefectural University),Itoh Nobuyuki(Okayama Prefectural University),Yoshitomi Sadayuki(TOSHIBA),Hoshino Hiroaki(TOSHIBA)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＭｏｓバラクタ|高周波|モデリング|ゲート抵抗|スケーラブル\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eワイヤレスコミュニケーションの高周波化、ローパワー化の要求に伴って、RFCMOSが注目されている。特に高周波領域では発振器の位相雑音にMOSバラクタの性能が影響している。そのため高周波領域での新たなバラクタのモデリング方法を開発した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e7,639 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362485883119,"sku":"IEEJ-ECT13026-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_65df3819-b8f9-493d-81b8-2ac3995aa073.png?v=1743628885","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect13026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}