{"product_id":"ieej-ect13034","title":"基板バイアス効果により線形性を改善した局所負帰還型低Gm トランス コンダクタの一構成法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT13034\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAn Improvement of linearity of a Low Gm Local Feed Back MOS Transconductor Using Body Effect\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大淵 武史(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eOhbuchi Takeshi(National Defense Academy),Matsumoto Fujihiko(National Defense Academy)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eアナログ集積回路|トランスコンダクタ|弱反転領域|低電力回路|基板バイアス効果|Analog Integrated Circuits|Transconductors|Subthreshold Region|Low Power Circuits|Body Effect\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e以前、生体信号処理に用いる低周波アクティブフィルタへの応用を考え、低Gm線形トランスコンダクタを提案した。局所負帰還型トランスコンダクタを基にしているが、減衰させた入力信号を用いるため、トランスコンダクタのバイアス回路を拡張する必要があった。本報告では、基板バイアス効果を利用することで、バイアス回路の拡張をせずに低Gm線形トランスコンダクタを実現する。提案回路の妥当性はシミュレーションにより確認する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e780 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362736918767,"sku":"IEEJ-ECT13034-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fd3ca56d-2718-44d4-a26e-c438dc89bbe8.png?v=1743637742","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect13034","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}