{"product_id":"ieej-ect13049","title":"LDMOSの温度検知用組み込み温度センサの設計","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT13049\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLayout embedded sensors for temperature detection in LDMOS transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e佐藤 雅紀(明治大学),関根 かをり(明治大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSato Masaki(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eパワーMOSFETは大電力を扱う為発熱が大きくなる場合があり、信頼性向上のためには素子を安全な温度領域内で動作させることが重要となっている。そこで素子の正確な温度を検知することが要求される。温度センサをチップ上に別回路として配置した場合センサとの距離によって素子自体の温度と誤差が生じる場合がある。本研究では動作するLDMOSセル内にPTAT電圧発生回路を埋め込むことで、省面積かつ正確な温度検知方式を提案する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e955 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362737475823,"sku":"IEEJ-ECT13049-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_42851e1d-67c9-46cc-9b5c-c39086586476.png?v=1743637774","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect13049","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}