{"product_id":"ieej-ect13109","title":"ナノスケールシミュレーションで見える量子細線トンネルFETの実力","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT13109\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/11\/22\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNanowire Tunneling FET Evaluated by Nano-scale Simulation \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 肇(日本アイ・ビー・エム)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003enakamura hajime(IBM Research - Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e低電圧Post-CMOSデバイスである量子細線トンネルFETをナノスケールシミュレーションを用いて評価し、トンネル過程の物理に加え、ドーパントやゲート界面の影響を理論的に解明した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,733 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362741145839,"sku":"IEEJ-ECT13109-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_92b4134a-0125-460b-9988-0ed6023056dd.png?v=1743637999","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect13109","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}