{"product_id":"ieej-ect14062","title":"BSIM4による90nm n-channel MOSFETの Hot Electronの劣化特性モデル化に関する研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eECT14062\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/07\/04\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBSIM4 Modeling of 90nm n-MOSFET Characteristics Degradation Due to Hot Electron\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e戸塚 拓也(群馬大学),青木 均(群馬大学),安部 文隆(群馬大学),Khatami Ramin(群馬大学),新井 薫子(群馬大学),轟 俊一郎(群馬大学),香積 正基(群馬大学),王 太峰(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakuya Totsuka(Gunma University),Hitoshi Aoki(Gunma University),Fumitaka Abe(Gunma University),Ramin Khatami(Gunma University),Yukiko Arai(Gunma University),Shunichiro Todoroki(Gunma University),Masaki Kazumi(Gunma University),Taifeng Wang(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eモデリング|１／ｆ雑音|劣化|ＢＳＩＭ４|BSIM4|modeling|degradation|1\/f noise|MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本研究は，n-チャネルMOSFETの特性をモデル化し，これをBSIM4モデルに反映させ，その後1\/f雑音特性の劣化モデルを開発することを目的としている．今回は，ホットエレクトロンによるドレイン電流劣化モデルを搭載し，フレッシュな電流特性が劣化する様子をシミュレートする．さらに，1\/fノイズをフレッシュな状態での測定を行い、ドレイン電流劣化モデルが1\/fノイズ特性に与える影響をBSIM4モデルを用いてシミュレーションで示す。なお，フレッシュな状態のモデルパラメータは作成したトランジスターTEGを測定して抽出している．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe final purpose of this study is to model the drain current and 1\/f noisedegradation characteristics of n-channel MOSFETs.In this report, we present the implementation of Hot Carrier Degradationintodrain current equations of BSIM4 model. Then, the simulations of the DCdrain current degradationwill be shown. 1\/f noise voltage density simulation affected by the draincurrent degradationwill also be shown. BSIM4 model parameters have been extracted extensivelywith measured data includingI-V and 1\/f noise measurement of our TEGs.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,373 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362839089391,"sku":"IEEJ-ECT14062-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1b06dd0a-ee3f-4639-bd88-febc34946ffe.png?v=1743641009","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-ect14062","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}