{"product_id":"ieej-edd05041","title":"Sub-10-nm平面型BulkCMOSにおけるS\/D直接トンネル電流特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/03\/10\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTransport Properties of Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e若林 整(NEC),江崎 達也(NEC),羽根 正巳(NEC),阪本 利司(NEC),川浦 久雄(NEC),五十嵐 信行(NEC),竹内 潔(NEC),山本 豊二(NEC),池揮健夫情報システムズ (NEC情報システムズ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHitoshi Wakabayashi(NEC),Tatsuya Ezaki(NEC),Masami Hane(NEC),Toshitsugu Sakamoto(NEC),Hisao Kawaura(NEC),Nobuyuki Ikarashi(NEC),Kiyoshi Takeuchi(NEC),Toyoji Yamamoto(NEC),Takeo Ikezawa Informatec Systems (NEC Informatec Systems)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSub-10-mmCMOS|ソース･ドレイン間直接トンネル電流|ドレイン起因トンネル電流変調効果\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e682 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46361643679983,"sku":"IEEJ-EDD05041-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_50b12ffc-44d2-4f25-bb65-4b5c41bcb328.png?v=1743609308","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05041","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}