{"product_id":"ieej-edd05046","title":"Si-MOSFET\/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05046\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePower Loss Limit Analysis Method for High Output-Power-Density Converters by a pair of Si-MOSFET with SiC-SBD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e色川 泰史(東京工業大学),高尾 和人(産業技術総合研究所),Kyungmin Sung(東京工業大学),安達 和広(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHirofumi Irokawa(Tokyo Institute of Technology),Kazuto Takao(AIST),Kyungmin Sung(Tokyo Institute of Technology),Kazuhiro Adachi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-SBD|高パワー密度変換器|素子損失|寄生パラメータ|SiC-SBD|High output power density converter|Devise power loss|Parasitic parameter\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e493 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361643909359,"sku":"IEEJ-EDD05046-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3c954f0e-6f3d-4571-aef3-d0fbbf6a2ee0.png?v=1743609321","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05046","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}