{"product_id":"ieej-edd05047","title":"SiC-PiNダイオードとSi-IEGTの組合せにおける損失解析方法","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05047\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAn Analysis Method of Device losses in Combination of SiC-PiN Diode and Si-IEGT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e鈴木 一馬(東京工業大学),Kyungmin Sung(東京工業大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuma Suzuki(Tokyo Institute of Technology),Kyungmin Sung(Tokyo Institute of Technology),Yasunori Tanaka(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC-PiNダイオード|Si-IEGT|素子損失|SiC-PiN diode|Si-IEGT|device loss\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e487 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361644138735,"sku":"IEEJ-EDD05047-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_03cc76b1-88e7-4859-bb15-fe4e911c715c.png?v=1743609339","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05047","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}