{"product_id":"ieej-edd05048","title":"Moを用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05048\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-voltage and low-loss 4H-SiC Schottky barrier diode using Mo\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 智宣(電力中央研究所),三柳 俊之(電力中央研究所),鎌田 功穂(電力中央研究所),土田 秀一(電力中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTomonori Nakamura(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Toshiyuki Miyanagi(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Isaho Kamata(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)),Hidekazu Tsuchida(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI))\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高耐電圧|低損失|Mo電極|ショットキーバリアダイオード|High-voltage|low-loss|Mo contact|Schottky barrier diode\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e461 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361644171503,"sku":"IEEJ-EDD05048-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_46ec3e23-09db-4601-81ab-9ed2e141b647.png?v=1743609343","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05048","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}