{"product_id":"ieej-edd05051","title":"ゲート絶縁膜としてSiO2膜を使ったMIS-AlGaN\/GaN HEMTの研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05051\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Study of MIS-AlGaN\/GaN HEMTs with SiO2 Films as Gate Insulator\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e杉本 雅裕(トヨタ自動車),樹神雅人 (豊田中央研究所),副島 成雅(豊田中央研究所),林 栄子(豊田中央研究所),上杉 勉(豊田中央研究所),加地徹 (豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasahiro Sugimoto(TOYOTA MOTOR CORP.),Masahito Kodama(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC),Narumasa Soejima(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC),Eiko Hayashi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC),Tsutomu Uesugi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲート絶縁膜|AlGaN\/GaN|ヘテロ構造|HEMT|パワーデバイス|Gate insulator|SiO2|AlGaN\/GaN|hetero structure|HEMT|power device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,103 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361644302575,"sku":"IEEJ-EDD05051-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_da893e72-bc73-4d9a-8299-d2e7def7f601.png?v=1743609349","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05051","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}