{"product_id":"ieej-edd05052","title":"CMOSプロセスにおける5V系パワーデバイスのホットキャリア耐量の改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05052\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eOptimization of 5V power devices based on CMOS for hot-carrier degradation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 和敏(東芝),仲 敏行(東芝),松下 憲一(東芝),末代 知子(東芝),安原 紀夫(東芝),遠藤幸一 (東芝),鈴木 史人(東芝),中川 明夫(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazutoshi Nakamura(Toshiba Corporation),Toshiyuki Naka(Toshiba Corporation),Kenichi Matsushita(Toshiba Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Corporation),Norio Yasuhara(Toshiba Corporation),Koichi Endo(Toshiba Corporation),Fumito Suzuki(Toshiba Corporation),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eCMOS|パワーIC|ホットキャリア|CMOS|Power IC|Hot carrier\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e588 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361644499183,"sku":"IEEJ-EDD05052-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5ebb6369-6f99-4b5c-b1d2-c42b80c9a2bc.png?v=1743609356","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05052","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}