{"product_id":"ieej-edd05058","title":"高耐圧（\u003e1000V）SemiSuperjunctionMOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05058\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh Breakdown Voltage (\u0026gt;1000V) SemiSuperjunction MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 渉(東芝),大村一郎 (東芝),相田 聡(東芝),上月 繁雄(東芝),泉沢 優(東芝),吉岡 裕典(東芝),小倉 常雄(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Saito(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Satoshi Aida(Toshiba),Shigeo Koduki(Toshiba),Masaru Izumisawa(Toshiba),Hironori Yoshioka(Toshiba),Tsuneo Ogura(Toshiba)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|スーパージャンクション|低オン抵抗|Power-MOSFET|Superjunction|Low on-resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e510 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361644794095,"sku":"IEEJ-EDD05058-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ddb0178b-865b-410f-a45a-b54ed970e4e5.png?v=1743609388","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05058","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}