{"product_id":"ieej-edd05065","title":"外部キャパシタンスによるIGBTのターンオン特性改善","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD05065\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/10\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGreat Improvement in Turn-On Power Dissipation of IGBTs with an Extra Gate Charging Function\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e小野澤勇一 (富士日立パワーセミコンダクタ),大月正人 (富士日立パワーセミコンダクタ),関 康和(富士日立パワーセミコンダクタ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuichi Onozawa(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.),Masahito Otsuki(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.),Yasukazu Seki(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e外部キャパシタンス|ミラー容量|ターンオンdI\/dt|Extra capacitance|Miller capacitance|Turn-on dI\/dt\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e435 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361645318383,"sku":"IEEJ-EDD05065-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_61dd258b-628d-47f0-a901-30039a2cfb22.png?v=1743609410","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd05065","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}