{"product_id":"ieej-edd06038","title":"バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm,フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06038\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eProcess Integration Technology and Device Characteristics of CMOS FinFET on Bulk Silicon Substrate with sub-10nm Fin Width and 20nm Gate Length\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岡野王俊(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),泉田貴士(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),川崎博久(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),金子明生(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),八木下淳史(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),金村貴永(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),近藤正樹(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),伊藤早苗(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),青木伸俊(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),宮野清孝(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),小野高稔(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),矢橋勝典(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),岩出建次(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),窪田壮男(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),松下貴哉(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),水島一郎(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),稲葉聡(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),石丸一成(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),須黒恭一(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),江口和弘(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),綱島祥隆(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター),石内秀美(㈱東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター \u0026amp; プロセス技術推進センター\n)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eK.Okano(SoC Research \u0026amp; Developm),T.Izumida(SoC Research \u0026amp; Developm),H.Kawasaki(SoC Research \u0026amp; Developm),A.Kaneko(SoC Research \u0026amp; Developm),A.Yagishita(SoC Research \u0026amp; Developm),T.Kanemura(SoC Research \u0026amp; Developm),M.Kondo(SoC Research \u0026amp; Developm),S.Ito(SoC Research \u0026amp; Developm),N.Aoki(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Miyano(SoC Research \u0026amp; Developm),T.Ono(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Yahashi(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Iwade(SoC Research \u0026amp; Developm),T.Kubota(SoC Research \u0026amp; Developm),T.Matsushita(SoC Research \u0026amp; Developm),I.Mizushima(SoC Research \u0026amp; Developm),S.Inaba(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Ishimaru(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Suguro(SoC Research \u0026amp; Developm),K.Eguchi(SoC Research \u0026amp; Developm),Y.Tsunashima(SoC Research \u0026amp; Developm),H.Ishiuchi(SoC Research \u0026amp; Developm)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eフィンFET|バルク基板|フィン幅|トリミング|ラジカル酸化|パンチスルーストッパー\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,027 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361707675887,"sku":"IEEJ-EDD06038-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1b97c035-b4f1-4c37-aecc-b8f456412f71.png?v=1743612702","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06038","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}