{"product_id":"ieej-edd06041","title":"イオン注入法によるGaN FETの特性改善効果","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe Characteristics Improvement of GaN FET by Ion Implantation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e野本 一貴(法政大学),田島 卓(法政大学),河村 光則(法政大学),伊藤 伸之(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学),葛西 武(ケミトロニクス),三島 友義(日立電線)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuki Nomoto(Hosei University),Taku Tajima(Hosei University),Mitsunori Kawamura(Hosei University),Nobuyuki Ito(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University),Takeshi Kasai(Chemitronics),Tomoyoshi Mishima(Hitachi Cable)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|イオン注入|金属･半導体電界効果トランジスタ|光電子移動度トランジスタ\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e751 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361707741423,"sku":"IEEJ-EDD06041-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f1d35f6c-895b-4c7a-b4d3-8cfda10ee9fd.png?v=1743612705","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06041","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}