{"product_id":"ieej-edd06047","title":"フローティングP構造低耐圧Trench MOSFETのシミュレーションによるスイッチング特性解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06047\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNumerical switching characteristics analysis of low voltage Trench MOSFET with floating-P layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e秋山 誠和子(東芝セミコンダクター社),川口 雄介(東芝セミコンダクター社),小野 昇太郎(東芝セミコンダクター社),山口 好広(東芝セミコンダクター社),中川 明夫(東芝セミコンダクター社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMiwako Akiyama(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Syotaro Ono(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yoshihiro Yamaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation Semiconductor Company)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|低耐圧|低オン抵抗|スイッチング特性|MOSFET|Low-voltage|Low on-resistance|Switching characteristic\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e684 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361709609199,"sku":"IEEJ-EDD06047-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ff9623e8-9b08-4baa-a3ba-c95ccd93bf76.png?v=1743612735","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06047","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}