{"product_id":"ieej-edd06048","title":"20V級低ゲートチャージトレンチラテラルMOS","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06048\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGate Charge 20V Class Trench-aligning Lateral Power MOSFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松永 慎一郎(富士電機アドバンストテクノロジー),澤田 睦美(富士電機アドバンストテクノロジー),藤島 直人(富士電機アドバンストテクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eS. Matsunaga(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.),M. Sawada(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.),N. Fujishima(Fuji Electric Advanced Technology,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e737 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361709641967,"sku":"IEEJ-EDD06048-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_03f06baa-ee02-4be0-a96e-3dd518982072.png?v=1743612738","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06048","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}