{"product_id":"ieej-edd06052","title":"高耐圧-逆阻止IGBT向けの新分離層形成プロセス","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06052\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA New Isolation Technique for High Breakdown Voltage Reverse Blocking IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e下山 和男(富士電機アドバンストテクノロジー),武井 学(富士電機アドバンストテクノロジー),中澤 治雄(富士電機アドバンストテクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuo Shimoyama(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Manabu Takei(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Haruo Nakazawa(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eマトリックスコンバーター|双方向スイッチ|逆阻止IGBT|分離層プロセス|トレンチ側壁|ドーパント活性化|matrix converter|bi-directional switch|RB-IGBT|isolation layer|trench sidewall|dopant activation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e976 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361709936879,"sku":"IEEJ-EDD06052-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_53193502-5630-4718-ae3f-f2a1971b2405.png?v=1743612751","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06052","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}