{"product_id":"ieej-edd06063","title":"埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06063\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDesign and Fabrication of Buried Gate type SiC-SIT(BGSIT)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e田中 保宣(産業技術総合研究所),高塚 章夫(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),矢野 浩司(山梨大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasunori Tanaka(AIST),Akio Takatsuka(AIST),Mitsuo Okamoto(AIST),Kazuo Arai(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST),Koji Yano(Yamanashi University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e炭化珪素|埋込ゲート|静電誘導型トランジスタ|接合型トランジスタ|耐圧|特性オン抵抗|Silicon carbide|buried gate|static induction transistor|junction transistor|breakdown voltage|specific on resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e666 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361712787695,"sku":"IEEJ-EDD06063-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8f8f09cf-080b-4fc1-903f-8c414163250b.png?v=1743612800","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06063","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}