{"product_id":"ieej-edd06069","title":"耐圧100V以下の領域におけるSuper 3D MOSFETによるSiリミットの突破","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06069\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBreakthrough of on-resistance Si limit by Super 3D MOSFET under 100V breakdown voltage\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e浦上 泰(デンソー),山口 仁(デンソー),榊原 純(デンソー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYasushi Urakami(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Jun Sakakibara(DENSO CORPORATION)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|オン抵抗|Power MOS FET|on-resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e721 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361715114223,"sku":"IEEJ-EDD06069-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_61cd8313-28a2-46f8-a92b-39084db597e1.png?v=1743612831","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06069","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}