{"product_id":"ieej-edd06070","title":"部分厚膜トレンチゲート構造を用いた車載用高性能・高信頼性パワーMOS","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06070\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh Performance and Reliability Power MOSFET for Automotive Application With Partially Thick Trench Gate Oxide Structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e青木 孝明(デンソー),都築 幸夫(デンソー),荒川 隆史(デンソー),鈴木 幹昌(デンソー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakaaki Aoki(DENSO CORPORATION),Yukio Tsuzuki(DENSO CORPORATION),Takafumi Arakawa(DENSO CORPORATION),Mikimasa Suzuki(DENSO CORPORATION)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOS|トレンチゲート|信頼性|オン抵抗|耐圧|Qgd|TDDB寿命|Power MOSFET|Trench Gate|Reliability|On-state Resistance|Breakdown Voltage|Qgd|TDDB\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e964 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361715179759,"sku":"IEEJ-EDD06070-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_54f9e330-420b-455d-99dd-a9bedcf48a7f.png?v=1743612834","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06070","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}