{"product_id":"ieej-edd06071","title":"キャリア移動度変調による超接合の低オン抵抗化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06071\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eReduction of On-Resistance in Superjunction by Using the Carrier Mobility Modulation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e岸本 大輔(オン・セミコンダクター・テクノロジー),青木 正明(オン・セミコンダクター・テクノロジー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eDaisuke Kishimoto(On Semiconductor Technology Japan Ltd.),Masaaki Aoki(On Semiconductor Technology Japan Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|超接合|オン抵抗|移動度|変調|超格子|シミュレーション|Power-MOSFET|Superjunction|on-resistance|mobility|modulation|Superlattice|simulation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e646 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361715212527,"sku":"IEEJ-EDD06071-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_7e05c0b0-b2b8-4e41-aab2-8bf0b29fedfb.png?v=1743612838","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06071","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}