{"product_id":"ieej-edd06072","title":"トレンチ埋込エピタキシャル成長を用いた200V系スーパージャンクションMOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06072\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e200V Super Junction MOSFET Fabricated by Trench Filling Epitaxial Si Growth\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e柴田 巧(デンソー),山内 庄一(デンソー),山口 仁(デンソー),野上 彰二(SUMCO),山岡 智則(SUMCO),服部 佳晋(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakumi Shibata(DENSO CORPORATION),Shoichi Yamauchi(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Shoji Nogami(SUMCO CORPORATION),Tomonori Yamaoka(SUMCO CORPORATION),Yoshiyuki Hattori(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET|スーパージャンクション|トレンチ埋込エピタキシャル成長|power MOSFET|super junction|trench filling epitaxial Si growth\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e991 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46361715376367,"sku":"IEEJ-EDD06072-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5fe44209-a6c3-4bc5-a60a-16e071375a79.png?v=1743612842","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06072","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}