{"product_id":"ieej-edd06073","title":"トレンチ埋込法により作製した20mΩcm2 660V SJ-MOSFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06073\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003e20mΩcm2 660V Super Junction MOSFETs Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋 孝太(富士電機AT),栗林 均(富士電機AT),河島 朋之(富士電機AT),脇本 節子(富士電機AT),望月 邦雄(富士電機AT),中澤 治雄(富士電機AT)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKouta Takahashi(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Hitoshi Kuribayashi(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Tomoyuki Kawashima(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Setsuko Wakimoto(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Kunio Mochizuki(Fuji Electric AT Co.,Ltd.),Haruo Nakazawa(Fuji Electric AT Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e超接合|トレンチ|埋込|埋め込み|エピ|MOS|エッジ構造|耐圧|トレードオフ|SJ|trench|buried|filling|epitaxial|MOS|termination|breakdown voltage|trade-off\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e804 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361715409135,"sku":"IEEJ-EDD06073-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_085dfdf7-d189-49a8-a88b-d45e5158391e.png?v=1743612845","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06073","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}