{"product_id":"ieej-edd06107","title":"Si パワーデバイスSuper Junction MOSFET 開発 -トレンチ埋込エピタキシャル成長技術によるSi-Limit 突破?","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD06107\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2006\/11\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of Super Junction MOSFET -Breakthrough of On-resistance Si Limit using Trench Filling Epitaxial Growth -\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山内 庄一(デンソー),柴田 巧(デンソー),山口 仁(デンソー),野上 彰二(SUMCO),山岡 智則(SUMCO),服部 佳晋(豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShoichi Yamauchi(DENSO CORPORATION),Takumi Shibata(DENSO CORPORATION),Hitoshi Yamaguchi(DENSO CORPORATION),Shoji Nogami(SUMCO CORPORATION),Tomonori Yamaoka(SUMCO CORPORATION),Yoshiyuki Hattori(TOYOTA CENTRAL R\u0026amp;D LABS.,INC.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eパワーMOSFET| スーパージャンクション| トレンチ埋込エピタキシャル成長\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,380 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361717407983,"sku":"IEEJ-EDD06107-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0904efda-9140-4b29-80d1-9a88e81d7d77.png?v=1743612885","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd06107","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}