{"product_id":"ieej-edd07039","title":"界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI\/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07039\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePractical Work Function Tuning Based on Physical and Chemical Nature of Interfacial Impurity in Ni-FUSI\/SiON and HfSiON systems\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e土屋 義規(東芝),吉木 昌彦(東芝),佐藤 基之(東芝　セミコンダクター社),関根 克行(東芝　セミコンダクター社),齋藤 友博(東芝　セミコンダクター社),中嶋 一明(東芝　セミコンダクター社),青山知憲(東芝　セミコンダクター社),古賀 淳二(東芝),西山 彰(東芝),小山 正人(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshinori Tsuchiya|Masahiko Yoshiki|Motoyuki Sato|Katsuyuki Sekine|Tomohiro Saito|Kazuaki Nakajima|Tomonori AoyamaSemiconductor Company|Junji Koga|Akira Nishiyama|Masato Koyama\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eフルシリサイド|仕事関数|メタルゲート|不純物偏析|アルミニウム偏析|ゲートスタック|高誘電率ゲート絶縁膜|fully silicided gate|FUSI|work function|metal gate|impurity segregation|Al segregation|gate stack|high-k\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e547 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361902186735,"sku":"IEEJ-EDD07039-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_eec7d45f-d1d8-4648-aefe-aa73273bdbf4.png?v=1743615887","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07039","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}