{"product_id":"ieej-edd07040","title":"SOI基板上のNi-FUSI\/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07040\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePractical Vth Control Methods for Ni-FUSI\/HfSiON MOSFETs on SOI Substrates\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e寺島 浩一(日本電気),間部 謙三(日本電気),高橋 健介(日本電気),渡部 宏治(日本電気),小倉 卓(日本電気),西藤哲史 (日本電気),忍田 真希子(日本電気),五十嵐 信行(日本電気),辰巳 徹(日本電気),渡辺 啓仁(日本電気)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKoichi Terashima(NEC),Kenzo Manabe(NEC),Kensuke Takahashi(NEC),Koji Watanabe(NEC),Takashi Ogura(NEC),Motofumi Saitoh(NEC),Makiko Oshida(NEC),Nobuyuki Ikarashi(NEC),Toru Tatsumi(NEC),Hirohito Watanabe(NEC)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eメタルゲート|高誘電率膜|Ni-FUSI|HfSiON|SOI|MOSFET|しきい値電圧|metal gate|high-k|Ni-FUSI|HfSiON|SOI|MOSFET|threshold voltage\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e389 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361902285039,"sku":"IEEJ-EDD07040-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_9fc28d67-b7ab-4115-84a8-37a19d85fe07.png?v=1743615891","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}