{"product_id":"ieej-edd07043","title":"InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07043\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eReduction of Source Resistance and Enhancement of Transconductance of InP-Based HEMTs by Using a Thin InAlAs Barrier Layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),原 直紀(富士通)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTsuyoshi Takahashi(Fujitsu Limited),Kozo Makiyama(Fujitsu Limited),Naoki Hara(Fujitsu Limited)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInP系HEMT|ソース抵抗|相互コンダクタンス|障壁層|InP-based HEMT|source resistance|transconductance|barrier layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e300 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361902711023,"sku":"IEEJ-EDD07043-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ff9ad368-d1e8-485d-aff7-ca58db885058.png?v=1743615900","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07043","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}