{"product_id":"ieej-edd07044","title":"Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN\/GaN HEMTエピ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07044\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh-Quality InAlN\/GaN HEMT Epi-Wafers grown on Si (111) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e渡邉 則之(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),廣木正伸 (日本電信電話),小田 康裕(日本電信電話),小林 隆(日本電信電話),八木 拓真(NTTアドバンステクノロジ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNoriyuki Watanabe(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Haruki Yokoyama(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Masanobu Hiroki(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Yasuhiro Oda(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Takashi Kobayashi(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Takuma Yagi(NTT Advanced Technology Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|InAlN|Si基板|MOCVD|HEMT|GaN|InAlN|Si substrate|MOCVD|HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e431 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361902743791,"sku":"IEEJ-EDD07044-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_64c47907-177c-4331-b0dc-63346a389d49.png?v=1743615904","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07044","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}