{"product_id":"ieej-edd07045","title":"低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN\/AlGaN\/GaN HEMTの研究","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07045\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIon-Implanted GaN\/AlGaN\/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e野本 一貴(法政大学),田島 卓(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学),三島 友義(日立電線)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuki Nomoto(Hosei University),Taku Tajima(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University),Tomoyoshi Mishima(Hitachi Cable Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|イオン注入|高電子移動度トランジスタ|GaN\/AlGaN\/GaN|Ion Implantation|HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e343 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361902842095,"sku":"IEEJ-EDD07045-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_431b80e4-0c56-4611-a679-c30f221cd80a.png?v=1743615907","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07045","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}