{"product_id":"ieej-edd07046","title":"SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07046\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of fully ion implanted MESFET on a bulk semi-insulating substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e新井 学(新日本無線),片上崇治 (新日本無線),尾形 誠(新日本無線),小野 修一(新日本無線)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eManabu Arai(New Japan Radio Co.,Ltd.),Shuiji Katakami(New Japan Radio Co.,Ltd.),Makoto Ogata(New Japan Radio Co.,Ltd.),Shuichi Ono(New Japan Radio Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSiC|MESFET|イオン注入|RF特性|SiC|MESFET|ion implantation|RF characteristics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e368 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46361902874863,"sku":"IEEJ-EDD07046-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_4362f295-5b3b-4f10-a37e-24e3c9953b59.png?v=1743615911","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07046","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}