{"product_id":"ieej-edd07073","title":"A Discussion on the High Level Excess Carrier Lifetime Effect of IGBT Model","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD07073\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2007\/10\/25\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Discussion on the High Level Excess Carrier Lifetime Effect of IGBT Model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003eNathabhat Phankong(Kyoto Univ.),Tsuyoshi Funaki(Kyoto Univ.),Takashi Hikihara(Kyoto Univ.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNathabhat Phankong(Kyoto Univ.),Tsuyoshi Funaki(Kyoto Univ.),Takashi Hikihara(Kyoto Univ.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eHefner model|IGBT model|Parameter extraction|Lifetime|Hefner model|IGBT model|Parameter extraction|Lifetime\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e536 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361904611567,"sku":"IEEJ-EDD07073-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1ac8ccf9-96cb-4539-be1a-72812d00f740.png?v=1743615948","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd07073","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}